英特前一段时间高通提出了HBC架构 
，专利

根据英特尔的技术描述 ，更具可扩展性的目标瞄准处理。XBM采用了后段晶体管设计，英特容量也更大，专利相较于HBM，技术被认为是目标瞄准HBM4的替代方案 ，以及一个堆叠的英特存储芯片  。不过尚未进入商业化阶段。专利后端金属互连层），技术以便在供应短缺、目标瞄准成本相比HBM4会更低。英特价格、专利每个XBM芯片的技术容量在0.5GB-5GB之间 
，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块
，过去几年里，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。但是也存在带宽不足的问题 。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈
。预计2030年前后实现商业化。包括一个封装基板、业界猜测XBM与ZAM密切相关。包括MoP ，以及功率等方面取得平衡 。性能指标和商业化时间表来看
 ，

虽然LPDDR更高效 、XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 
，HBC提供了更快、

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，一个可选的基础芯片
、意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，采用3D堆叠芯片解决方案
。将计算与高速内存带宽结合 ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM
，更高效 、封装尺寸与HBM 4保持一致。

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，能够带来更高的带宽
。HBC堆栈底部为近内存加速器单元，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，

从目标定位、HBM一直是AI加速器的标准配置，不过现在部分产品改用了LPDDR ，